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在三菱 PLC 中，让一个 D 寄存器（数据寄存器）的数据缓慢增大（即按一定速率逐步增加，如每秒增加固定值），可通过定时器触发累加或脉冲计数累加实现，核心是控制数据增长的 “时间间隔” 和 “每次增量”，以下是具体方法：

一、基础思路：定时累加（适合固定速率增长）

通过定时器（如 TON）设定固定时间间隔（如 100ms、1s），每间隔一段时间触发一次加法运算，实现 D 寄存器数据缓慢增大。

方法 1：使用普通定时器（TON）+ ADD 指令

适用场景：增长速率固定（如每秒增加 10），精度要求不高。

程序示例：让 D100 从初始值 0 开始，每 1 秒增加 5（最大不超过 100）

plaintext

LD  M8000              ; 常ON电源
TON  T0  K100          ; T0定时100×10ms=1000ms（1秒），定时到T0=ON
LD  T0
RST  T0                ; 复位T0，循环定时
LD  T0                 ; 每1秒触发一次
CMP  D100  K100  D0    ; 比较D100与100（上限）
LD  M8000
AND  D0.0              ; 当D100 < 100时（D0.0=ON）
ADD  D100  K5  D100    ; D100 = D100 + 5（每次增加5）

说明：

• T0 定时 1 秒，每次定时到就触发一次加法；

• CMP 指令用于限制最大值（避免溢出），当 D100 达到 100 时停止增加；

• 调整 K100（定时时间）和 K5（每次增量）可改变增长速率（时间越短、增量越大，增长越快）。

方法 2：使用高速定时器（如 T246~T255）+ 浮点数累加（高精度）

适用场景：需要缓慢且平滑增长（如每分钟增加 0.1），或涉及小数。

程序示例：让 D200（浮点数）从 0 开始，每 500ms 增加 0.2（最大不超过 5.0）

plaintext

LD  M8000
; 初始化：将D200设为0.0（浮点数）
E MOV  K0  D200        ; "E"开头为浮点数指令，K0转为0.0存D200

; 高速定时器T246定时500ms（500×1ms）
LD  M8000
SPD  X0  K1000  D0    ; 若无需外部信号，可用M8000触发定时
TON  T246  K500       ; T246定时500ms（1ms单位）

LD  T246
RST  T246              ; 循环定时
; 浮点数比较：D200 < 5.0时继续增加
E CMP  D200  K5.0  D10
LD  M8000
AND  D10.0
; 浮点数累加：D200 = D200 + 0.2
E ADD  D200  K0.2  D200

说明：

• 用浮点数指令（E MOV、E ADD、E CMP）支持小数增量（如 0.2）；

• 高速定时器 T246 精度为 1ms，可实现更精细的时间间隔（如 500ms）；

• 适合模拟量控制场景（如缓慢调节温度、压力设定值）。

二、进阶思路：按外部信号速率增长（如脉冲计数）

若需要根据外部信号（如编码器脉冲）控制增长速率（脉冲越慢，数据增长越慢），可通过计数器累加实现。

程序示例：每收到 10 个 X0 脉冲，D300 增加 1

plaintext

LD  X0                 ; 外部脉冲信号（如编码器）
CTU  C0  K10           ; C0计数X0脉冲，计满10个后C0=ON
LD  C0
ADD  D300  K1  D300    ; 每10个脉冲，D300+1
RST  C0                ; 复位计数器，循环计数

说明：

• 数据增长速率由外部脉冲频率决定（脉冲频率越低，D300 增长越慢）；

• 调整 K10（计数阈值）可改变每次增量的触发条件。

三、关键参数调整

1. 增长速率：

• 速率 = 每次增量 ÷ 时间间隔（如每次 + 5，每 1 秒→速率 5 / 秒）；

• 减小时间间隔（如从 1 秒改为 0.5 秒）或增大每次增量，可加快增长。

2. 最大值限制：必须用 CMP 或 MOV 指令设置上限（如达到 100 时用 MOV K100 D100 锁定），避免数据溢出。

3. 初始值与复位：可通过 MOV K0 D100（初始化时）或外部复位信号（如 X1 触发 RST D100）重置数据。

四、应用场景

• 模拟量设定（如缓慢提升变频器频率、调节阀开度）；

• 倒计时 / 正计时显示（如缓慢增加的进度条数值）；

• 工艺参数渐变（如加热过程中缓慢提升目标温度）。

通过以上方法，可灵活控制 D 寄存器数据的增长速度，满足不同场景的 “缓慢增大” 需求。